RW1C020UNT2R

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563T-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

75 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

700 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

RW1C020UN

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

1.8 S

秋季时间：

30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

17 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

第 # 部分别名：

RW1C020UN

单位重量：

0.000106 oz

Tags

RW1C020, RW1C02, RW1C0, RW1C, RW1