PSMN8R5-100ESFQ

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

I2PAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

97 A

Rds On - 漏源电阻：

8.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

44.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

183 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

Nexperia

秋季时间：

23.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

26.8 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31.5 ns

典型的开启延迟时间：

16.8 ns

Tags

PSMN8R5-100E, PSMN8R5-100, PSMN8R5-1, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM