VNB20N07-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

50 mOhms

Qg - 门电荷：

60 nC

Pd - 功耗：

83 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

VNB20N07

晶体管类型：

1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET

类型：

低边

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

17 S

秋季时间：

150 ns, 3.5 us

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

240 ns, 1.5 us

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

430 ns, 6 us

典型的开启延迟时间：

90 ns, 800 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

VNB20, VNB2, VNB