TP65H035WS

产品属性

属性值

制造商：

转座子

产品分类：

MOSFET

技术：

氮化镓硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

46.5 A

Rds On - 漏源电阻：

41 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

36 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

转座子

秋季时间：

11.5 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

13.5 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

98.5 ns

典型的开启延迟时间：

69 ns

Tags

TP65H, TP65, TP6