NGTB30N120IHSWG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-247

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

2 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

60 A

Pd - 功耗：

192 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

NGTB30N120IHS

打包：

管子

品牌：

安森美半导体

栅极-发射极漏电流：

100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

30

子类别：

IGBT

单位重量：

0.229281 oz

Tags

NGTB30N120I, NGTB30N12, NGTB30N1, NGTB30, NGTB3, NGTB, NGT