D2012UK

产品属性

属性值

制造商：

TT电子

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

4 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

10 dB

输出功率：

10 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DP

配置：

单身的

高度：

5.08 mm

长度：

18.92 mm

工作频率：

1 GHz

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

6.35 mm

品牌：

Semelab / TT Electronics

频道模式：

增强

Pd - 功耗：

42 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V to 7 V

Tags

D2012, D201, D20