IRF200P222

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247AC-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

182 A

Rds On - 漏源电阻：

6.6 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

203 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

强IRFET

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

142 S

秋季时间：

97 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

96 ns

出厂包装数量：

400

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

77 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

第 # 部分别名：

SP001582092

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IRF200, IRF20, IRF2, IRF