MRF6V2010NBR5

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

E

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

110 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-272-3

打包：

卷轴

配置：

单身的

高度：

2.64 mm

长度：

23.67 mm

系列：

MRF6V2010N

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

6.4 mm

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

频道模式：

增强

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 5 V, 10 V

单位重量：

0.042191 oz

Tags

MRF6V2010NB, MRF6V2010N, MRF6V20, MRF6V2, MRF6V, MRF6, MRF