PGA26E19BA

产品属性

属性值

制造商：

松下

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

氮化镓

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

13 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

氮化镓

系列：

PGA26E19BA

品牌：

松下

秋季时间：

2.4 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.2 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

3.4 ns

典型的开启延迟时间：

3.4 ns

Tags

PGA26E1, PGA26, PGA2, PGA