GS-065-008-1-L

产品属性

属性值

制造商：

氮化镓系统

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

氮化镓硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PDFN-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

8 A

Rds On - 漏源电阻：

541 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

Vgs - 栅源电压：

- 10 V to 7 V

Qg - 门电荷：

1.5 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

GS-065

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

氮化镓系统

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

GS-065-008-1-L-E01-MR