DMN3150LW-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

28 V

Id - 连续漏极电流：

1.6 A

Rds On - 漏源电阻：

88 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

620 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

2.15 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

DMN31

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

5.4 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.000176 oz

Tags

DMN3150LW, DMN315, DMN31, DMN3, DMN