TGF2080

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

pHEMT

技术：

砷化镓

获得：

11.5 dB

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 7 V

Id - 连续漏极电流：

259 mA

最大漏栅电压：

- 12 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

4.2 W

安装方式：

贴片/贴片

打包：

凝胶包

配置：

双重的

工作频率：

12 GHz

工作温度范围：

- 65 C to + 150 C

产品：

射频结型场效应管

系列：

转化生长因子

类型：

GaAs pHEMT

品牌：

科沃

正向跨导 - 最小值：

309 mS

通道数：

2 Channel

P1dB - 压缩点：

29.5 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

100

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

1098414

Tags

TGF20, TGF2, TGF