NE3512S02-T1C-A

产品属性

属性值

制造商：

电灯

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

高频场效应管

技术：

砷化镓

获得：

13.5 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

4 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 3 V

Id - 连续漏极电流：

70 mA

最高工作温度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

165 mW

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

S0-2

打包：

卷轴

工作频率：

12 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs HFET

品牌：

电灯

正向跨导 - 最小值：

55 mS

NF - 噪声系数：

0.35 dB

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

2000

子类别：

晶体管

Tags

NE3512S02-T, NE3512, NE351, NE35, NE3