BSZ086P03NS3E G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSDSON-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

40 A

Rds On - 漏源电阻：

6.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.1 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

57.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

3.3 mm

系列：

OptiMOS P3

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

30 S

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

46 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

第 # 部分别名：

BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ86P3NS3EGXT SP000473016

单位重量：

0.003527 oz

Tags

BSZ086P03NS3E, BSZ086P03NS, BSZ086, BSZ08, BSZ0, BSZ