ALD1105PBL

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

200 A

Rds On - 漏源电阻：

2.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.9 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

81 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

4.7 mm

长度：

9.25 mm

系列：

CSD18535KTT

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

10.26

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

263 S

秋季时间：

3 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

Tags

ALD110, ALD11, ALD1, ALD