NVD2955T4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

155 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

15 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

55 W

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NTD2955

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

48 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

45 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

26 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

SVD2955T4G

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NVD2, NVD