SD56120M

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

14 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

13 dB

输出功率：

120 W

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

M252

打包：

管子

配置：

双重的

高度：

5.33 mm

长度：

22.05 mm

工作频率：

1 GHz

系列：

SD56120

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

9.91 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

3 S

频道模式：

增强

Pd - 功耗：

236 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

60

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Tags

SD5612, SD561, SD56, SD5