SCTW90N65G2V

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

HIP247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

90 A

Rds On - 漏源电阻：

25 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.9 V

Vgs - 栅源电压：

10 V to 22 V

Qg - 门电荷：

157 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 200 C

Pd - 功耗：

390 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

SCTW90N

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

16 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

38 ns

出厂包装数量：

600

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

58 ns

典型的开启延迟时间：

26 ns

Tags

SCTW, SCT