BFR30LT1

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

N

晶体管类型：

场效应管

技术：

硅

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Vgs - 栅源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

10 mA

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

打包：

卷轴

配置：

单身的

产品：

射频结型场效应管

类型：

场效应管

品牌：

安森美半导体

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000282 oz

Tags

BFR30, BFR3, BFR