IRFB18N50KPBF

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

17 A

Rds On - 漏源电阻：

290 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

120 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

220 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

15.49 mm

长度：

10.41 mm

系列：

红外热像仪

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.7 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

6.4 S

秋季时间：

30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

60 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 ns

典型的开启延迟时间：

22 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IRFB18N50, IRFB18, IRFB1, IRFB, IRF