RGT8NS65DGC9

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-262-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.65 V

最大栅极发射极电压：

30 V

25 C 时的连续集电极电流：

8 A

Pd - 功耗：

65 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

打包：

管子

品牌：

罗姆半导体

栅极-发射极漏电流：

200 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

RGT8NS65D(TO-262)

Tags

RGT8N, RGT8, RGT