RGW80TK65DGVC11

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-3PFM

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.5 V

最大栅极发射极电压：

30 V

25 C 时的连续集电极电流：

39 A

Pd - 功耗：

81 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

39 A

品牌：

罗姆半导体

栅极-发射极漏电流：

200 nA

产品类别：

IGBT晶体管

子类别：

IGBT

Tags

RGW8, RGW