IPD60R650CEATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

650 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

20.5 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

63 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

11 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

58 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

IPD60R650CEATMA1 SP001276026

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD60R650CEA, IPD60R65, IPD60R6, IPD60R, IPD60, IPD6, IPD