STQ2LN60K3-AP

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

600 mA

Rds On - 漏源电阻：

4.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

12 nC

Pd - 功耗：

2.5 W

频道模式：

增强

商品名：

网状网

打包：

弹药包

系列：

STQ2LN60K3-AP

品牌：

意法半导体

秋季时间：

21 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.5 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

23.5 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

单位重量：

0.007760 oz

Tags

STQ2, STQ