EFC6611R-A-TF

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

CSP-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

27 A

Rds On - 漏源电阻：

3.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

120 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

EFC6611R

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

19 S

开发套件：

-

秋季时间：

17700 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

570 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

38000 ns

典型的开启延迟时间：

80 ns

单位重量：

0.002116 oz

Tags

EFC6611R-A, EFC6611, EFC661, EFC6, EFC