TPS1100DG4

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

15 V

Id - 连续漏极电流：

1.6 A

Rds On - 漏源电阻：

180 mOhms

Vgs - 栅源电压：

2 V, - 15 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

791 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

TPS1100

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

PMOS 开关

宽度：

3.9 mm

品牌：

德州仪器

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

4.5 ns

单位重量：

0.002677 oz

Tags

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