STGIPN3H60-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

IGBT 模块

产品：

IGBT 硅模块

配置：

3-Phase

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

2.15 V

25 C 时的连续集电极电流：

3 A

栅极-发射极漏电流：

-

Pd - 功耗：

8 W

包装/案例：

NDIP-26

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

斯利姆

技术：

硅

品牌：

意法半导体

安装方式：

通孔

最大栅极发射极电压：

-

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

476

子类别：

IGBT

Tags

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