IPD650P06NMATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

- 60 V

Id - 连续漏极电流：

- 22 A

Rds On - 漏源电阻：

65 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

- 39 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

83 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

IPD06P003

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

21 S

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

14 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

33 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

IPD650P06NM SP004987256

Tags

IPD65, IPD6, IPD