TK31J60W,S1VQ

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3PN-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

30.8 A

Rds On - 漏源电阻：

88 mOhms

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

105 nC

Pd - 功耗：

230 W

配置：

单身的

商品名：

DTMOSIV

高度：

20 mm

长度：

15.5 mm

系列：

TK31J60W

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.245577 oz

Tags

TK31J60W,S, TK31J, TK31, TK3