QS5U13TR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSMT-5

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

110 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

最低工作温度：

- 50 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

900 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

QS5U13

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.6 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

第 # 部分别名：

QS5U13

单位重量：

0.000494 oz

Tags

QS5U1, QS5U, QS5