FQB25N33TM-F085

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

330 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

230 mOhms

配置：

单身的

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

系列：

FQB25N33TM_F085

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.65 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

FQB25N33TM_F085

单位重量：

0.046296 oz

Tags

FQB25N33T, FQB25N, FQB25, FQB2, FQB