SIHB12N65E-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

700 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

380 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

35 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

系列：

E

品牌：

威世 / Siliconix

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

19 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

单位重量：

0.050717 oz

Tags

SIHB12N6, SIHB12N, SIHB12, SIHB1, SIHB, SIH