STD4N62K3

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

620 V

Id - 连续漏极电流：

3.8 A

Rds On - 漏源电阻：

1.95 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Vgs - 栅源电压：

3 V

Qg - 门电荷：

14 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

70 W

配置：

单身的

商品名：

网状网

打包：

卷轴

系列：

STD4N62K3

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

SuperMesh3 Power MOSFET

品牌：

意法半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STD4N6, STD4N, STD4, STD