STS25NH3LL-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

3.2 mOhms

Vgs - 栅源电压：

18 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

3.2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.65 mm

长度：

5 mm

系列：

STS25NH3LL-E

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

4 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

30 S

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

50 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

75 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

单位重量：

0.002998 oz

Tags

STS25N, STS25, STS2, STS