PMDPB80XP,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-2020-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.7 A

Rds On - 漏源电阻：

80 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Qg - 门电荷：

5.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

Nexperia

秋季时间：

50 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

14 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

120 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

Tags

PMDPB8, PMDPB, PMDP, PMD