VNW100N04

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

42 V

Id - 连续漏极电流：

50 A

Rds On - 漏源电阻：

12 mOhms

Pd - 功耗：

208 W

打包：

管子

系列：

VNW100N04

类型：

功率MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

60 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

单位重量：

1.340411 oz

Tags

VNW1, VNW