IRF60DM206

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DirectFET-ME

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

130 A

Rds On - 漏源电阻：

2.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

133 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

96 W

配置：

单身的

商品名：

强IRFET

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

6.35 mm

宽度：

5.05 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

148 S

秋季时间：

30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

32 ns

出厂包装数量：

4800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

17 ns

第 # 部分别名：

SP001561876

Tags

IRF60D, IRF60, IRF6, IRF