QPD2730

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

16 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

48 V

Id - 连续漏极电流：

210 mA

输出功率：

36 W

最大漏栅电压：

55 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

18.6 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI780-4

打包：

胡扯

配置：

双重的

工作频率：

2.575 GHz to 2.635 GHz

工作温度范围：

- 40 C to + 85 C

系列：

QPD

品牌：

科沃

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

25

子类别：

晶体管

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 2.7 V, - 4.75 V

第 # 部分别名：

1131813

Tags

QPD273, QPD27, QPD2, QPD