DMN2013UFX-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

W-DFN5020-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

9.6 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

57.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.14 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN2013

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

13.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20.3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

42.5 ns

典型的开启延迟时间：

8.6 ns

Tags

DMN201, DMN20, DMN2, DMN