QPD2793

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

19 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

-

Vgs - 栅源击穿电压：

-

Id - 连续漏极电流：

-

输出功率：

200 W

最大漏栅电压：

-

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

-

Pd - 功耗：

-

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI400-2

打包：

托盘

应用：

微蜂窝基站，W-CDMA / LTE

配置：

单身的

工作频率：

2.62 GHz to 2.69 GHz

系列：

QPD

品牌：

科沃

正向跨导 - 最小值：

-

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

1130771

Tags

QPD279, QPD27, QPD2, QPD