FF75R12RT4

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT 模块

产品：

IGBT 硅模块

配置：

双重的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

2.15 V

25 C 时的连续集电极电流：

75 A

栅极-发射极漏电流：

100 nA

Pd - 功耗：

395 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

托盘

品牌：

英飞凌科技

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

FF75R12RT4HOSA1 SP000624916

单位重量：

5.643834 oz

Tags

FF75R12R, FF75R1, FF75, FF7