DMN30H4D0L-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

300 V

Id - 连续漏极电流：

550 mA

Rds On - 漏源电阻：

4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

7.6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

630 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN30

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

-

秋季时间：

17.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.7 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25.8 ns

典型的开启延迟时间：

4.9 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

DMN30H4D0, DMN30H4, DMN30H, DMN30, DMN3, DMN