STGD3NB60SDT4

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-252-3

安装方式：

贴片/贴片

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

1.5 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

6 A

Pd - 功耗：

48 W

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

STGD3NB60SD

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

连续集电极电流 Ic 最大值：

6 A

高度：

2.4 mm

长度：

6.6 mm

宽度：

6.2 mm

品牌：

意法半导体

连续集电极电流：

3 A

栅极-发射极漏电流：

+/- 100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

2500

子类别：

IGBT

单位重量：

0.139332 oz

Tags

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