IGT60R190D1SATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

氮化镓

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PG-HSOF-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

12.5 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

0.9 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

3.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

55.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

冷却氮化镓

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

第 # 部分别名：

SP001701702

Tags

IGT60, IGT6, IGT