FDD86367

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

80 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

3.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

88 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

227 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

FDD86367

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

16 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

49 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

36 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD8636, FDD863, FDD86, FDD8, FDD