BSP603S2L

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

55 V

Id - 连续漏极电流：

5.2 A

Rds On - 漏源电阻：

33 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.6 mm

长度：

6.5 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.5 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

16 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

28 ns

典型的开启延迟时间：

10.8 ns

第 # 部分别名：

BSP603S2LHUMA1 BSP63S2LXT SP000431792

单位重量：

0.003951 oz

Tags

BSP603S2L, BSP603S, BSP603, BSP60, BSP6, BSP