STV160NF02LT4

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerSO-10

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

160 A

Rds On - 漏源电阻：

1.6 mOhms

Vgs - 栅源电压：

15 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

210 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

3.65 mm

长度：

7.6 mm

系列：

STV160NF02

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

9.5 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

210 S

秋季时间：

240 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

800 ns

出厂包装数量：

600

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

28 ns

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