PSMN8R5-100XSQ

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

49 A

Rds On - 漏源电阻：

22.6 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

100 nC

Pd - 功耗：

55 W

打包：

管子

品牌：

Nexperia

秋季时间：

40 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

83 ns

典型的开启延迟时间：

21.5 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

PSMN8R5-100, PSMN8R5-1, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM