STS8DN3LLH5

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

15.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

22 V

Qg - 门电荷：

5.4 nC

Pd - 功耗：

2.7 W

配置：

双重的

商品名：

STripFET

打包：

卷轴

系列：

STS8DN3LLH5

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

3.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.2 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21.1 ns

典型的开启延迟时间：

4 ns

单位重量：

0.019048 oz

Tags

STS8D, STS8, STS