STS8C5H30L

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

5.4 A, 8 A

Rds On - 漏源电阻：

22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7 nC, 12.5 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W, 2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.65 mm

长度：

5 mm

系列：

STS8C5H30L

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

类型：

MOSFET

宽度：

4 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

8.5 S, 10 S

秋季时间：

8 ns, 35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

14.5 ns, 35 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

23 ns, 125 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 25 ns

单位重量：

0.002998 oz

Tags

STS8C5, STS8C, STS8, STS